正常情況下：當(dāng)MOS管在開關(guān)狀態(tài)時，開關(guān)波形應(yīng)該會和控制信號電壓波形一樣標(biāo)準(zhǔn)。
但是實際上柵極串聯(lián)較大的電阻以后，柵極上的充放電電流很小，對電容的充電速度變慢，MOS管出現(xiàn)了未完全導(dǎo)通，并且下一個關(guān)閉MOS管的信號又到達了的現(xiàn)象。
我們了解過米勒平臺，知道MOS管GS和GD之間都有一個等效電容，電容兩端的電壓無法突變，因此本質(zhì)上就是對這些電容進行充放電，讓Vgs電壓達到導(dǎo)通和關(guān)閉的門限。
我們通過這個電路來講解，在這里當(dāng)輸入信號為1MHz時，幅度5V的方波信號，通過200ohm電阻R1連接到NMOS的G極，但Ud電壓最小值還在5V時又開始上升了，開關(guān)并沒有完全導(dǎo)通。
這時可以將串聯(lián)電阻R1縮小，大概20ohm，Vd電壓信號保持為方波，這就可以進行完全導(dǎo)通了。
但是，當(dāng)Ud關(guān)斷時，出現(xiàn)了較長的“爬坡”，也就是說，即使將柵極驅(qū)動電流增大了，MOS管本身的開關(guān)頻率也存在上限。
于是我們將柵極驅(qū)動型號的頻率降低到100kHz，這時的Ud和Ugs就是一個比較標(biāo)準(zhǔn)的方波信號了。
當(dāng)MOS管出現(xiàn)不完全導(dǎo)通，以及邊沿爬坡緩慢會出現(xiàn)什么情況？
事實上當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時，MOS管的損耗可以看作為0，也就是說MOS管的損耗只存在于開關(guān)的過程中
相反，MOS管的損耗就會加大，并加重發(fā)熱，最終導(dǎo)致MOS管燒毀。
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